[发明专利]通过应力调节LED发光波长的方法及相应的白光LED有效
| 申请号： | 200810106414.7 | 申请日： | 2008-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN101582473A | 公开（公告）日： | 2009-11-18 |
| 发明（设计）人： | 张国义;杨志坚;方浩;陶岳彬;桑立雯;李丁 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种调节LED发光波长的方法，是在缓冲层上先生长第一n型欧姆接触层，再沉积一层SiO2薄膜作为掩膜，在掩膜上开出具有一定几何形状和尺寸的生长窗口，然后在生长窗口处继续生长第二n型欧姆接触层、有源层和p型欧姆接触层。不同形状和尺寸的生长窗口对二次外延器件内部应力的调节可以使同一种生长工艺条件下制备的器件发出不同波段的辐射光。采用这一特殊方法可制备白光LED，即在掩膜的不同区域根据预先设计开设不同形状、尺寸和数量的生长窗口，可从一个器件发出不同波段的辐射光，它们混合后得到白光。该LED器件只需单一芯片即可发出白色光，而且制备简便，电路简单，无需荧光粉，受命长，具有较高光的电转化效率。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 应力 调节 led 发光 波长 方法 相应 白光 | ||
【主权项】：
1.一种调节发光二极管发光波长的方法，在发光二极管的生长过程中，在缓冲层之上先生长第一n型欧姆接触层，再在其上沉积一层SiO2薄膜作为掩膜，在掩膜上开出具有一定几何形状和尺寸的生长窗口，然后在生长窗口处继续生长第二n型欧姆接触层、有源层和p型欧姆接触层，从而使有源层发出的光的波长改变。
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