[发明专利]抽真空方法和存储介质有效
| 申请号： | 200810099893.4 | 申请日： | 2008-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN101320676A | 公开（公告）日： | 2008-12-10 |
| 发明（设计）人： | 山涌纯;守屋刚;药师寺秀明;阿部和正 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3065;C23F4/00;H01J37/32;B01J3/03 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘春成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种抽真空方法和存储介质，该抽真空方法不会引起以水分为原因的问题，能够缩短抽真空的时间。在具有腔室(11)的真空处理装置(10)中，在对腔室(11)内抽真空时，通过APC阀(16)在一定的时间，例如数十秒的过程中，将腔室(11)内的压力维持为6.7～13.3×102Pa(5～10Torr)(压力维持)，接着，向腔室(11)内迅速导入加热气体，使腔室11内迅速升压至1.3～2.7×104Pa(100～200Torr)(迅速升压)，在时间T1到时间T2之间，多次重复压力维持和迅速升压。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 方法 存储 介质 | ||
【主权项】：
1.一种抽真空方法，其是具有真空处理室的真空处理装置的抽真空方法，其特征在于，包括：在抽真空时，将所述真空处理室内的压力维持在大气压以下且6.7×102Pa(5Torr)以上的第一压力调整步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
