[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200810098335.6 | 申请日： | 2008-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN101312211A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 李文荣 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;李丙林 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：形成在衬底上的通道区附近的至少一个漂移区，形成在漂移区中的第一掩埋绝缘层，以及设置在第一掩埋绝缘层与漂移区之间的第一减小表面场区。因此，该半导体器件提供布置在漂移区与第一掩埋绝缘层之间的第一减小表面场区，因此该半导体器件具有以下优点：提高了结集成度，提高了对于采用高操作电压的LDMOS晶体管的适用性，并减小了总体尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：漂移区，所述漂移区邻近衬底中的通道区而形成；第一掩埋绝缘层，所述第一掩埋绝缘层形成在所述漂移区中；以及第一减小表面场区，所述第一减小表面场区设置在所述第一掩埋绝缘层与所述漂移区之间。
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