[发明专利]用于减少编程错误的多位闪存设备的编程方法有效
| 申请号： | 200810095107.3 | 申请日： | 2008-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN101261879A | 公开（公告）日： | 2008-09-10 |
| 发明（设计）人： | 李承宰 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种通过从第一分布到第二分布选择性地改变存储器单元的阈值电压分布、编程闪存设备的多个存储器单元的方法，所述方法包括：选择至少一个要编程的存储器单元；以及编程所述至少一个选择的存储器单元到高于验证电压的电压，其中所述验证电压是包括在第一分布中的各阈值电压之一，或者高于包括在第一分布中的各阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 减少 编程 错误 闪存 设备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种通过从第一分布到第二分布选择性地改变存储器单元的阈值电压分布、编程闪存设备的多个存储器单元的方法，所述方法包括：选择至少一个要编程的存储器单元；以及编程所述至少一个选择的存储器单元到高于验证电压的电压，其中所述验证电压是包括在第一分布中的各阈值电压之一，或者高于包括在第一分布中的各阈值电压。
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