[发明专利]用于减少编程错误的多位闪存设备的编程方法

权利要求书

1.一种通过从第一分布到第二分布选择性地改变存储器单元的阈值电压分布、编程闪存设备的多个存储器单元的方法，所述方法包括：

选择至少一个要编程的存储器单元；以及

编程所述至少一个选择的存储器单元到高于验证电压的电压，

其中所述验证电压是包括在第一分布中的各阈值电压之一，或者高于包括在第一分布中的各阈值电压。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述验证电压是包括在第一分布中的各阈值电压之一或者第一分布的最大电压。

3.根据权利要求1所述的方法，其中：

第一分布和第二分布之间的间隔小于在在前的页数据编程期间定义的第二分布和第三分布之间的间隔，并且

在在前的页数据编程期间，第一分布对应于第一状态，并且第三分布对应于紧接着第一状态的第二状态。

4.根据权利要求1所述的方法，其中：

验证电压是第二验证电压，并且在第二验证电压和第一分布的最大电压之间的第一电压差，小于第二分布的最大电压和相应的第一验证电压之间的第二电压差，

第一验证电压对应于在在前的页数据编程期间定义的第一分布的电压和第三分布的电压之间的电压，并且

在在前的页数据编程期间，第一分布对应于第一状态并且第三分布对应于紧接着第一状态的第二状态。

5.根据权利要求1所述的方法，其中至少2个或更多多位数据存储在闪存设备的一个存储器单元中。

6.根据权利要求5所述的方法，其中第二分布通过在多位数据中的页数据的编程创建。

7.根据权利要求6所述的方法，其中第二分布通过在多位数据中的最高有效位MSB页数据的编程创建。

8.根据权利要求5所述的方法，其中闪存设备还包括存储器单元，在当至少一个存储器单元被编程来从第一分布到第二分布改变其阈值电压分布的时段期间，该存储器单元从第三分布编程到高于第二分布的第四分布。

9.根据权利要求8所述的方法，其中第一分布和第二分布之间的间隔不同于第二分布和第三分布之间的间隔。

10.根据权利要求9所述的方法，其中第一分布和第二分布之间的间隔小于第二分布和第三分布之间的间隔。

11.根据权利要求8所述的方法，其中设置验证电压使得第一分布和第二分布之间的间隔不同于第二分布和第三分布之间的间隔。

12.一种编程多位闪存设备的方法，该多位闪存设备包括具有包括在多个电压分布状态之一中的阈值电压的存储器单元，所述方法包括：

编程存储器单元使得其阈值电压从初始状态改变；并且

验证阈值电压是否已经被编程到高于对应于目标状态的验证电压的电压，

其中验证电压是包括在初始状态内的各阈值电压之一，或高于包括在初始状态内的各阈值电压。

13.根据权利要求12所述的方法，其中各电压分布状态之间的电压间隔被设置为相互不同。

14.根据权利要求12所述的方法，其中目标状态是通过存储在存储器单元中的多位数据的一位的编程而创建的阈值电压分布。

15.根据权利要求14所述的方法，其中目标状态通过在多位数据中的最高有效位MSB页数据的编程来创建。

16.根据权利要求15所述的方法，其中初始状态通过在多位数据中的最低有效位LSB页数据的编程来创建。

17.根据权利要求13所述的方法，其中验证阈值电压是否已经被编程为高于对应于目标状态的验证电压的电压包括：

执行第一验证操作，用于验证存储器单元的阈值电压是否已经包括在初始状态或目标状态中；以及

执行第二验证操作，用于验证阈值电压是否已经被编程为高于验证电压的电压。

18.根据权利要求17所述的方法，其中执行第一验证操作包括提供初步验证电压到存储器单元的字线。

19.根据权利要求18所述的方法，其中初步验证电压高于对应于目标状态的阈值电压分布的最大电压。