[发明专利]栅极结构的制造方法

摘要

本发明揭示一种栅极结构的制造方法。首先，提供一衬底，衬底上已形成栅极介电层，且栅极介电层上形成有至少一介电柱。然后，在衬底上方顺应性形成多晶硅层，覆盖住介电柱与栅极介电层。之后，进行一刻蚀工艺，移除部分的多晶硅层，以于介电柱的侧壁形成二个多晶硅间隙壁。接着，在衬底上形成刻蚀终止层，以及形成介电层以覆盖刻蚀终止层、二个多晶硅间隙壁与介电柱。然后，移除部分的介电柱与介电层，使介电柱与介电层的表面低于多晶硅柱的表面。随后，进行一自行对准金属硅化物工艺，使多晶硅柱转变成金属硅化物柱。

主权项

1.一种栅极结构的制造方法，包括：提供一衬底，该衬底上已形成一栅极介电层，且该栅极介电层上形成有至少一介电柱；在该衬底上方顺应性形成一多晶硅层，覆盖住该介电柱与该栅极介电层；进行一刻蚀工艺，移除部分的该多晶硅层，以于该介电柱的侧壁形成二个多晶硅间隙壁；在该衬底上形成一刻蚀终止层；形成一介电层，以覆盖该刻蚀终止层、该二个多晶硅间隙壁与该介电柱；进行一平坦化工艺，移除部分的该介电柱、该介电层与该二个多晶硅间隙壁，使该二个多晶硅间隙壁形成二个多晶硅柱；进行一回刻蚀工艺，移除部分的该介电柱与该介电层，使该介电柱与该介电层的表面低于该多晶硅柱的表面；以及进行一自行对准金属硅化物工艺，使该多晶硅柱转变成一金属硅化物柱，其中该多晶硅层的厚度等于该金属硅化物柱的关键尺寸。