[发明专利]电阻随机存取存储器及其制造方法无效
| 申请号： | 200810092024.9 | 申请日： | 2008-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN101257089A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 李明宰;李殷洪;朴泳洙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C13/00;G11C11/56;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种包含具有金属氧化物和/或金属离子掺杂物的电阻层的电阻随机存取存储器及其制造方法，所述电阻随机存取存储器在室温沉积并且具有可变电阻特性。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 随机存取存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电阻随机存取存储器，包括：下电极；在所述下电极上的具有金属氧化物和金属离子掺杂物的电阻层；以及在所述电阻层上的上电极。
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