[发明专利]电阻随机存取存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种电阻随机存取存储器，包括：

下电极；

在所述下电极上的具有金属氧化物和金属离子掺杂物的电阻层；以及

在所述电阻层上的上电极。

2.如权利要求1所述的电阻随机存取存储器，其中所述电阻层中的金属氧化物是从由镍氧化物、钛氧化物、铪氧化物、锆氧化物、锌氧化物、钨氧化物、钴氧化物和铌氧化物构成的组中选择的至少一种氧化物。

3.如权利要求1所述的电阻随机存取存储器，其中所述电阻层中的金属氧化物是NiO。

4.如权利要求1所述的电阻随机存取存储器，其中所述电阻层中的金属离子掺杂物是过渡金属离子。

5.如权利要求1所述的电阻随机存取存储器，其中所述电阻层中的金属离子掺杂物是从由镍离子、钛离子、铪离子、锆离子、锌离子、钨离子、钴离子和铌离子构成的组中选择的至少一种离子。

6.如权利要求1所述的电阻随机存取存储器，其中所述电阻层中的金属离子掺杂物是钛离子。

7.如权利要求1所述的电阻随机存取存储器，其中所述电阻层中的金属离子掺杂物在所述金属氧化物的金属的位置被取代以结合到氧。

8.如权利要求1所述的电阻随机存取存储器，其中所述电阻层中的金属离子掺杂物的数量在大约0.0001-5wt％的范围内。

9.如权利要求1所述的电阻随机存取存储器，其中所述电阻层中的金属氧化物是NiO并且所述金属离子掺杂物是钛离子。

10.一种制造电阻随机存取存储器的方法，所述方法包括：

形成下电极；

在所述下电极上形成具有金属氧化物和金属离子掺杂物的电阻层；

在所述电阻层上形成上电极。

11.如权利要求10所述的方法，其中所述电阻层在从大约室温到大约200℃的温度范围内形成。

12.如权利要求10所述的方法，其中所述电阻层在大约室温下形成。

13.如权利要求10所述的方法，其中所述电阻层中的金属氧化物是从由镍氧化物、钛氧化物、铪氧化物、锆氧化物、锌氧化物、钨氧化物、钴氧化物和铌氧化物构成的组中选择的至少一种氧化物。

14.如权利要求10所述的方法，其中所述电阻层中的金属离子掺杂物是从由镍离子、钛离子、铪离子、锆离子、锌离子、钨离子、钴离子和铌离子构成的组中选择的至少一种离子。

15.如权利要求10所述的方法，其中所述电阻层中的金属离子掺杂物在所述金属氧化物的金属的位置被取代以结合到氧。

16.如权利要求10所述的方法，其中所述电阻层通过使用以所述金属离子掺杂物掺杂的金属靶的沉积来形成。

17.如权利要求10所述的方法，其中所述电阻层通过使用至少两种金属靶的沉积来形成。

18.如权利要求10所述的方法，其中所述电阻层通过使用溅射、化学汽相沉积、等离子体汽相沉积或原子层沉积方法来形成。

19.如权利要求10所述的方法，其中所述电阻层通过使用掺杂钛离子的Ni靶的沉积来形成。