[发明专利]薄膜硅光伏器件及其制造方法和背电极以及光伏组件无效
申请号: | 200810091633.2 | 申请日: | 2008-04-11 |
公开(公告)号: | CN101556978A | 公开(公告)日: | 2009-10-14 |
发明(设计)人: | 李沅民;杨与胜 | 申请(专利权)人: | 福建钧石能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/075 | 分类号: | H01L31/075;H01L31/052;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 黄小临;吕晓章 |
地址: | 362000福建省泉*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种薄膜硅光伏器件及其制造方法和背电极以及光伏组件。所述薄膜硅光伏器件具有层状结构,该层状结构依次包括:基板;透明导电的前电极;一个或多个p-i-n型光伏单元,每个p-i-n型光伏单元由基于氢化硅的p型、本征i型和n型半导体薄膜组成;背电极,该背电极包含依次重叠的银膜和镍膜,所述银膜位于所述背电极的、与所述p-i-n型光伏单元相邻的一侧,并且所述镍膜由镍或镍含量高于60%的镍合金制成。根据本发明的由银/镍制成的全金属型背电极具有反射率高、导电性好、不易短路、稳定性强、且便于以低成本生产大面积光伏模板等优点。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 硅光伏 器件 及其 制造 方法 电极 以及 组件 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜硅光伏器件,其具有层状结构,该层状结构依次包括:基板;透明导电的前电极;一个或多个p-i-n型光伏单元,每个p-i-n型光伏单元由基于氢化硅的p型、本征i型和n型半导体薄膜组成;背电极,其特征在于,所述背电极包含依次重叠的银膜和镍膜,所述银膜位于所述背电极的、与所述p-i-n型光伏单元相邻的一侧,并且所述镍膜由镍或镍含量高于60%的镍合金制成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建钧石能源有限公司,未经福建钧石能源有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810091633.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种平板显示装置焊盘结构
- 下一篇:腺苷酸的精制方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的