[发明专利]通过微波烧结制备高密度陶瓷和金属陶瓷溅射靶无效
| 申请号： | 200810082832.7 | 申请日： | 2008-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN101255546A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 杨峰林;A·戴斯;C·德林顿;B·孔克尔 | 申请（专利权）人： | 贺利氏有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民;路小龙 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种从粉末材料制造溅射靶的方法，包括步骤：提供至少一种原料粉末材料；使所述至少一种原料粉末材料形成密度大于理论最大密度之大约40％的生坯；用微波处理所述生坯以形成密度大于理论最大密度之大约97％的烧结体；以及，从该烧结体形成溅射靶。该方法特别地适用于包括电介质和金属陶瓷材料的靶的制造中。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 微波 烧结 制备 高密度 陶瓷 金属陶瓷 溅射 | ||
【主权项】：
1.一种从粉末材料制造溅射靶的方法，其包括步骤：(a)提供至少一种原料粉末材料；(b)使所述至少一种原料粉末材料形成具有大于理论最大密度的大约40％的密度的生坯；(c)用微波处理所述生坯，以形成密度大于理论最大密度大约97％的烧结体；和(d)从所述烧结体形成溅射靶。
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