[发明专利]表面等离子体共振传感器及该传感器用芯片有效
| 申请号： | 200810082068.3 | 申请日： | 2008-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN101261227A | 公开（公告）日： | 2008-09-10 |
| 发明（设计）人： | 西川武男;松下智彦;山下英之;莲井亮介;藤田悟史;奥野雄太郎;青山茂 | 申请（专利权）人： | 欧姆龙株式会社 |
| 主分类号： | G01N21/55 | 分类号： | G01N21/55;G01N21/41 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄纶伟 |
| 地址： | 日本京都*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种表面等离子体共振传感器及该传感器用芯片，是高灵敏度的局部存在式表面等离子体共振传感器。传感器用芯片在基板(51)的表面上形成有金属层(52)，在金属层(52)表面的测定区域(44)设有多个细微的凹部(57)。在向该测定区域照射直线偏振光的光时，在凹部(57)内对置的金属层表面产生局部存在的共振电场。接受其反射光，测定此时的反射率。直线偏振光的光按照其偏振光面与凹部(57)的长度方向正交的方式照射。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 等离子体 共振 传感器 传感 器用 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种表面等离子体共振传感器，其包括：表面等离子体共振传感器用芯片、向所述表面等离子体共振传感器用芯片照射光的光源、以及接受由所述表面等离子体共振传感器用芯片反射的光的光检测器，所述表面等离子体共振传感器的特征在于，所述表面等离子体共振传感器用芯片具有基板、和形成为覆盖所述基板表面的至少一部分的金属层，在所述金属层的表面形成有多个凹部，所述凹部内的内壁面具有至少一组对置的金属层表面，在所述对置的金属层表面产生局部存在的共振电场，从所述光源射出并射入到所述传感器用芯片的表面、并且在所述金属层表面的包括所述凹部的区域反射的光，由所述光检测器接受，由此测定所述传感器用芯片上的反射率或者由所述光检测器接受的光强度。
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