[发明专利]衬底抛光方法有效
| 申请号： | 200810081220.6 | 申请日： | 2004-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN101241843A | 公开（公告）日： | 2008-08-13 |
| 发明（设计）人： | 户川哲二;锅谷治 | 申请（专利权）人： | 株式会社荏原制作所 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/304;B24B1/00;B24B55/00;B24B49/16;B24B37/04;B24B29/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 刘炳胜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种衬底抛光方法，包括：经由多个流体通道将流体提供给多个压力室；将多个传感器分别设置在所述多个流体通道中，用于检测流过所述多个流体通道的所述流体的流动状态；当在所述多个流体通道的两个相邻流体通道中的二个所述传感器检测到所述流体的固定流动方向时，则判断为发生流体泄露并停止抛光所述衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 抛光 方法 | ||
【主权项】：
1、一种衬底抛光方法，包括：经由多个流体通道将流体提供给多个压力室；将多个传感器分别设置在所述多个流体通道中，用于检测流过所述多个流体通道的所述流体的流动状态；当在所述多个流体通道的两个相邻流体通道中的二个所述传感器检测到所述流体的固定流动方向时，则判断为发生流体泄露并停止抛光所述衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
