[发明专利]中空尖笔状结构与包含其的装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200810074356.4 | 申请日： | 2008-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN101504948A | 公开（公告）日： | 2009-08-12 |
| 发明（设计）人： | 陈维恕 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;H01L45/00;H01J31/12;G03F7/20;G11B5/48;G11B9/00;G01B7/28;G12B21/08;G02B6/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种中空尖笔状结构及其制造方法，以及包含其的相变化存储装置、磁阻式动态随机存取存储装置、电阻式动态随机存取存储装置、场发射显示装置、多电子束直写光刻装置、高密度磁储存装置、原子力显微装置、光刻装置、光子晶体结构及其制造方法。该中空尖笔状结构包括：中空柱状间隔物，位于一基础层上；以及中空锥状间隔物，堆叠于该中空柱状间隔物上，其中该中空锥状间隔物、该中空柱状间隔物与该基础层间形成一空室，而该中空柱状间隔物与该中空锥状间隔物的壁面包括含硅的有机或无机材料。 | ||
| 搜索关键词： | 中空 尖笔状 结构 包含 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种中空尖笔状结构，包括：中空柱状间隔物，位于一基础层上；以及中空锥状间隔物，堆叠于该中空柱状间隔物上；其中该中空锥状间隔物、该中空柱状间隔物与该基础层间形成一空室，而该中空柱状间隔物与该中空锥状间隔物的壁面包括含硅的有机或无机材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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