[发明专利]芯片功耗的一种测量方法无效

专利信息
申请号: 200810067631.X 申请日: 2008-06-03
公开(公告)号: CN101598750A 公开(公告)日: 2009-12-09
发明(设计)人: 邓顶阳;陈志辉 申请(专利权)人: 优仪半导体设备(深圳)有限公司
主分类号: G01R21/02 分类号: G01R21/02
代理公司: 深圳市千纳专利代理有限公司 代理人: 胡清方
地址: 518000广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 芯片功耗的一种测量方法,包括如下步骤:将待测芯片的应用场景设置成符合或近似JEDEC标准的环境;将待测芯片通电工作一定时间,使用待测芯片工作稳定;分别测量待测芯片的壳温以及待测芯片周围空气环境的温度;将所测到的待测芯片的壳温及待测芯片周围空气环境的温度,代入下式,计算出待测芯片的功耗。P=(TC-TA)/(θjAjC×α),式中θjA、θjC和α是芯片的固有参数,可以通过芯片资料或由芯片供应商提供;TC为芯片的壳温;TA为芯片附近空气环境温度。本发明具有不用测量芯片的电压和电流,仅仅只通过测量芯片工作时的壳温和芯片周围空气环境的温度,就可获得芯片功耗大小的优点。
搜索关键词: 芯片 功耗 一种 测量方法
【主权项】:
1、芯片功耗的一种测量方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)、将待测芯片的应用场景设置成符合或近似JEDEC标准的环境;(2)、将待测芯片通电工作一定时间,使用待测芯片工作稳定;(3)、分别测量待测芯片的壳温以及待测芯片周围空气环境的温度;(4)、将所测到的待测芯片的壳温及待测芯片周围空气环境的温度,代入下式,计算出待测芯片的功耗 <mrow> <mi>P</mi> <mo>=</mo> <mfrac> <mrow> <msub> <mi>T</mi> <mi>C</mi> </msub> <mo>-</mo> <msub> <mi>T</mi> <mi>A</mi> </msub> </mrow> <mrow> <msub> <mi>&theta;</mi> <mi>jA</mi> </msub> <mo>-</mo> <msub> <mi>&theta;</mi> <mi>jC</mi> </msub> <mo>&times;</mo> <mi>&alpha;</mi> </mrow> </mfrac> </mrow>上式中θjA、θjC和α是芯片的固有参数,可以通过芯片资料或由芯片供应商提供;TC为芯片的壳温;TA为芯片附近空气环境温度。
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