[发明专利]芯片功耗的一种测量方法无效
| 申请号： | 200810067631.X | 申请日： | 2008-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN101598750A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | 邓顶阳;陈志辉 | 申请（专利权）人： | 优仪半导体设备(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | G01R21/02 | 分类号： | G01R21/02 |
| 代理公司： | 深圳市千纳专利代理有限公司 | 代理人： | 胡清方 |
| 地址： | 518000广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片 功耗 一种 测量方法 | ||
【权利要求书】：
1、芯片功耗的一种测量方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)、将待测芯片的应用场景设置成符合或近似JEDEC标准的环境；
(2)、将待测芯片通电工作一定时间，使用待测芯片工作稳定；
(3)、分别测量待测芯片的壳温以及待测芯片周围空气环境的温度；
(4)、将所测到的待测芯片的壳温及待测芯片周围空气环境的温度，代入下式，计算出待测芯片的功耗
上式中θjA、θjC和α是芯片的固有参数，可以通过芯片资料或由芯片供应商提供；TC为芯片的壳温；TA为芯片附近空气环境温度。
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