[发明专利]薄膜晶体管的制备方法在审
| 申请号： | 200810067162.1 | 申请日： | 2008-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN101582381A | 公开（公告）日： | 2009-11-18 |
| 发明（设计）人： | 姜开利;李群庆;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/84 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084北京市海淀区清华园1*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜晶体管的制备方法，包括以下步骤：提供一生长基底；在生长基底表面均匀形成一催化剂层；将形成有催化剂层的生长基底在保护气体环境下加热，通入碳源气体及载气，控制载气与碳源气的体积比为100∶1至100∶10，在生长基底表面生长一单壁碳纳米管层；间隔形成一源极及一漏极，并使该源极及漏极与所述碳纳米管层电连接；在所述碳纳米管层表面形成一绝缘层；以及在所述绝缘层表面形成一栅极，得到一薄膜晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管的制备方法，包括以下步骤：提供一生长基底；在生长基底表面均匀形成一催化剂层；将形成有催化剂层的生长基底在保护气体环境下加热，通入碳源气体及载气，控制载气与碳源气的体积比为100∶1至100∶10，在生长基底表面生长一单壁碳纳米管层；间隔形成一源极及一漏极，并使该源极及漏极与所述碳纳米管层电连接；在所述碳纳米管层表面形成一绝缘层；以及在所述绝缘层表面形成一栅极，得到一薄膜晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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