[发明专利]NMOS管嵌入式双向可控硅静电防护器件

摘要

本发明公开了一种NMOS管嵌入式双向可控硅静电防护器件，包括P型衬底，P型衬底上设有N阱、第一T阱和第二T阱，第一T阱和第二T阱四周侧面被N阱包围，第一T阱和第二T阱上一P+扩散有源区和一N+扩散有源区，第一T阱和第二T阱之间的N阱上设有一N+扩散有源区，N+扩散有源区之间的T阱表面覆有多晶硅层，多晶硅层与第一T阱和第二T阱通过SiO₂氧化层隔离，各扩散有源区之间均通过浅沟槽隔离。本发明双向可控硅静电防护器件的N+扩散有源区之间的T阱表面覆有多晶硅层、T阱上的P+扩散有源区和N+扩散有源区相当于一个嵌入的NMOS管，可大大降低该器件的触发电压。

主权项

1.一种NMOS管嵌入式双向可控硅静电防护器件，包括P型衬底(3)，其特征在于：P型衬底(3)上设有N阱(6)、第一T阱(1)和第二T阱(2)，第一T阱(1)和第二T阱(2)四周侧面被N阱(6)包围，由外向内，第一T阱(1)上依次设有第一P+扩散有源区(11)、第一N+扩散有源区(12)、第二T阱(2)上依次设有第二P+扩散有源区(21)、第二N+扩散有源区(22)，第一T阱(1)和第二T阱(2)之间的N阱(6)上设有第三N+扩散有源区(7)，第三N+扩散有源区(7)的两端分别跨设于第一T阱(1)和第二T阱(2)上，第一N+扩散有源区(12)与第三N+扩散有源区(7)之间的第一T阱(1)表面以及第二N+扩散有源区(22)与第三N+扩散有源区(7)之间的第二T阱(2)表面覆有多晶硅层(5a、5b)，多晶硅层(5a、5b)与第一T阱(1)和第二T阱(2)通过SiO2氧化层隔离，除第三N+扩散有源区(7)与第一N+扩散有源区(12)和第二N+扩散有源区(22)外，各扩散有源区通过浅沟槽(4)隔离。