[发明专利]柔性衬底上室温溅射沉积氧化铟锡透明导电薄膜的方法

摘要

本发明属于电子材料技术领域，特别是涉及一种柔性衬底室温下溅射制备氧化铟锡透明导电薄膜的方法；其步骤包括：清洗、充工作气体、紫外线辐照、阻挡层制备、溅射氧化铟锡膜；通过在线紫外辐照，在氩氧比为(6.0～7.5)∶0.2，采用射频溅射或直流溅射，实现在室温下，在预先镀覆二氧化硅层作为扩散阻挡层的有机柔性衬底上高效无损伤制备氧化铟锡薄膜。氧化铟锡薄膜的厚度为700nm时，电阻率为3.5×10^－4Ωcm，方块电阻为5Ω，可见光透过率为88％，且膜层均匀平整，不起皱，不脱落。与传统的柔性氧化铟锡薄膜制备工艺相比，本发明无需加热、工艺控制简单、对基体无损伤，适用于大面积生产，且具有良好的光电特性。

主权项

1.一种柔性衬底上室温溅射沉积氧化铟锡透明导电薄膜的方法，其特征在于包括下述步骤：清洗、抽真空、充工作气体、紫外线在线辐照、阻挡层制备、氧化铟锡膜制备；各步骤的内容如下：清洗：将有机柔性衬底电子清洗剂擦洗后，用去离子水超声清洗；再用无水乙醇超声清洗；然后干燥；抽真空：将清洗好的有机衬底置于磁控溅射设备内抽真空；充工作气体：输入氩气和氧气，调节流量，使得总压强保持在5×10-1Pa；紫外线在线辐照：接通真空钟罩内的紫外线灯进行在线辐照；阻挡层制备：紫外线在线辐照下，用二氧化硅作靶材，采用射频磁控溅射法在已清洗的有机柔性衬底上镀覆二氧化硅膜作为扩散阻挡层；氧化铟锡薄膜制备：在室温条件下，采用紫外线在线辐照，用氧化铟锡陶瓷靶作靶材，采用射频磁控溅射与直流磁控溅射中的一种磁控溅射，在已镀覆二氧化硅膜的柔性衬底上沉积氧化铟锡薄膜。