[发明专利]柔性衬底上室温溅射沉积氧化铟锡透明导电薄膜的方法

权利要求书

1.一种柔性衬底上室温溅射沉积氧化铟锡透明导电薄膜的方法，其特征在于包括下述步骤：清洗、抽真空、充工作气体、紫外线在线辐照、阻挡层制备、氧化铟锡膜制备；各步骤的内容如下：

清洗：将有机柔性衬底电子清洗剂擦洗后，用去离子水超声清洗；再用无水乙醇超声清洗；然后干燥；

抽真空：将清洗好的有机衬底置于磁控溅射设备内抽真空；

充工作气体：输入氩气和氧气，调节流量，使得总压强保持在5×10^-1Pa；

紫外线在线辐照：接通真空钟罩内的紫外线灯进行在线辐照；

阻挡层制备：紫外线在线辐照下，用二氧化硅作靶材，采用射频磁控溅射法在已清洗的有机柔性衬底上镀覆二氧化硅膜作为扩散阻挡层；

氧化铟锡薄膜制备：在室温条件下，采用紫外线在线辐照，用氧化铟锡陶瓷靶作靶材，采用射频磁控溅射与直流磁控溅射中的一种磁控溅射，在已镀覆二氧化硅膜的柔性衬底上沉积氧化铟锡薄膜。

2.按照权利要求1所述的柔性衬底上室温溅射沉积氧化铟锡透明导电薄膜的方法，其特征在于所述的柔性有机衬底为：聚脂、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚甲醛、聚丙烯、聚氯乙烯、聚甲基丙烯酸甲脂、聚乙烯对苯二甲酯、聚丙烯己二酯、聚四氟乙烯、丙烯腈-苯乙烯-丁二烯共聚物、聚砜、尼龙中的任一种透明度好、热稳定性优良、耐腐蚀性好的有机薄膜材料。

3.按照权利要求1所述的柔性衬底上室温溅射沉积氧化铟锡透明导电薄膜的方法，其特征在于所述的氧化铟锡靶材为陶瓷靶，其氧化铟和氧化锡的重量百分比范围在：氧化铟：80～90，氧化锡：10～20(wt％)。

4.按照权利要求1所述的柔性衬底上室温溅射沉积氧化铟锡透明导电薄膜的方法，其特征在于所述的氧化铟锡薄膜采用射频磁控溅射制备，其射频溅射功率为350W～500W。

5.按照权利要求1所述的柔性衬底上常温溅射沉积氧化铟锡透明导电薄膜的方法，其特征在于所述的氧化铟锡薄膜采用直流磁控溅射制备，其直流溅射功率为200W～500W。

6.按照权利要求1所述的柔性衬底上常温溅射沉积氧化铟锡透明导电薄膜的方法，其特征在于所述的氧化铟锡薄膜的厚度为100～1000nm。

7.按照权利要求1所述的柔性衬底上常温溅射沉积氧化铟锡透明导电薄膜的方法，其特征在于所述的磁控溅射源为平面靶磁控溅射源、柱型靶磁控溅射源、S-枪磁控溅射源的一种。

8.按照权利要求1或2所述的柔性衬底上室温溅射沉积氧化铟锡透明导电薄膜的方法，其特征在于所述的二氧化硅薄膜的膜厚为10～40nm。

9.按照权利要求1或2所述的柔性衬底上室温溅射沉积氧化铟锡透明导电薄膜方法，其特征在于所述二氧化硅靶材为纯度99.99％的石英材料构成。

10.按照权利要求1或3所述的柔性衬底上室温溅射沉积氧化铟锡透明导电薄膜的方法，其特征在于所述的工作气体为氩气和氧气，其比例为(6.0～7.5)∶0.2，其总压强为5×10^-1Pa。

11.按照权利要求1所述的柔性衬底上室温溅射沉积氧化铟锡透明导电薄膜的方法，其特征在于所述的紫外线灯的波长为100～400nm。

12.按照权利要求1所述的柔性衬底上室温溅射沉积氧化铟锡透明导电薄膜的方法，其特征在于所述的紫外线灯布置在真空钟罩内。

13.按照权利要求1所述的柔性衬底上室温溅射沉积氧化铟锡透明导电薄膜的方法，其特征在于所述的紫外线灯通过一个能透射紫外线的视窗布置在真空钟罩外部。