[发明专利]一种低弯曲薄片单晶硅太阳电池烧结工艺

摘要

本发明公开的低弯曲薄片单晶硅太阳电池烧结工艺是在RTP炉中富氧气氛下进行，依次经烘烤、分阶段不同升温速率升温、快速冷却，烧结过程不保温，因此烧结过程短，减小了能耗。该工艺可以在大规模丝印单晶硅太阳电池生产工艺上应用。经过该烧结工艺烧结后得到的电池片的弯曲度小于1mm，电池效率可以达到15％以上。从而能有效减小后续测试和组件封装时的破碎率，降低电池生产成本，有利于太阳电池的发展。

主权项

1.一种低弯曲薄片单晶硅太阳电池烧结工艺，其特征是包括以下步骤：将印刷有前后电极和铝浆的硅片放入快速热处理炉中，在含氧气体积为22％-50％的富氧空气下，首先在100℃-400℃温度下烘烤40s-120s，随后以10℃-30℃/s的升温速率升温到300℃-650℃，再以50℃/s-120℃/s的升温速率升温到700℃-900℃，随即以40℃/s-120℃/s的速率降温到室温。