[发明专利]一种工业硅加压提纯的方法无效

专利信息
申请号: 200810058571.5 申请日: 2008-06-23
公开(公告)号: CN101293654A 公开(公告)日: 2008-10-29
发明(设计)人: 马文会;杨斌;刘大春;戴永年;谢克强;于站良;魏奎先;伍继君;徐宝强;郁青春;曲涛 申请(专利权)人: 昆明理工大学
主分类号: C01B33/037 分类号: C01B33/037
代理公司: 昆明慧翔专利事务所 代理人: 程韵波
地址: 650031*** 国省代码: 云南;53
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摘要: 发明涉及一种工业硅加压提纯的方法。将纯度大于98%的块状工业硅经过预处理后得到粒度为50~1000目的粉状工业硅;粉状工业硅与浓度为0.1mol/L~10mol/L的硫酸或浓度为0.1mol/L~9mol/L的盐酸或浓度为0.1mol/L~9mol/L的硝酸按照液固比为0.5∶1~20∶1混和后进行加压提纯,加压提纯过程的温度为70℃~350℃、压力为0.1MPa~25MPa、搅拌速度为250r/min~1200r/min、处理时间为0.2h~24h;加压提纯后的硅物料最后采用浓度为0.5mol/L~8mol/L的氢氟酸进行进一步的处理,得到99.99%以上的高纯硅。处理后的浸出液经过萃取系统处理后得以循环利用。
搜索关键词: 一种 工业 加压 提纯 方法
【主权项】:
1、一种工业硅加压提纯方法,其特征在于:按以下步骤完成,1)、将纯度大于98%块状工业硅原料经予处理后得到粒度为50~1000目的粉末硅;2)、粉末硅与浓度为0.1mol/L~10mol/L的硫酸、浓度为0.1mol/L~9mol/L的盐酸或浓度为0.1mol/L~9mol/L的硝酸按照重量液固比为0.5~20∶1混和后投入到加压提纯反应器中,用热媒加热,在反应温度为70~350℃,反应压力为0.1MPa~25MPa,搅拌速度为250r/min~1200r/min的条件下反应0.2h~24h,然后液固相进行分离,得到硅粉和浸出溶液;3)、分离后的硅粉用浓度为0.5mol/L~8mol/L的氢氟酸,在温度为20~90℃下浸泡0.1~16h,去除硅物料表面的二氧化硅及一些杂质,然后用水清洗4~6次后抽滤,干燥,得产品。
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