[发明专利]非Bi系低压ZnO压敏陶瓷材料的制造方法

摘要

本发明涉及一种非Bi系低压ZnO压敏陶瓷材料的制造方法，属于电器元件及其材料制造技术领域。用ZnO加上从掺杂元素Al、Fe、Eu、Pr、La、Ce、Nd、B、Si、Mn、Cr、Co、Pb、Ti、纳米ZnO中任选的氧化物粉组成混合原料，将其混合磨细，经干燥，压制成块，600～750℃进行预烧，再放入球磨罐研磨，干燥，过筛后造粒，将粉料压制成小圆片并逐渐加热到600～720℃保温排胶，后进一步加热烧结并冷却到室温，得到低压ZnO压敏陶瓷材料；再进行表面加工，被电极烧银，经测试后封装，得到低压ZnO压敏电阻。具有制作工艺简单、成本较低、性能好、使用范围广，所生产电阻重复性、稳定性、一致性好，电参数值有显著改进等优点。

主权项

1、一种非Bi系低压ZnO压敏陶瓷材料的制造方法，其特征是先用ZnO加上从一组掺杂元素Al、Ti、Fe、Eu、Ce、Nd、B、Si、Mn、Cr、Co、Pr、La、Pb、Ba、Sm、V的氧化物的任意选择一部分以及纳米ZnO组成混合原料，然后将该原料在球磨罐中，加入水和酒精研磨3～6小时；将球磨后的料浆干燥、过筛，压制成块，600～750℃进行预烧，降温后再放入球磨罐中加水和酒精研磨6～12小时；将球磨好的料浆干燥、过筛后，得到均匀分布的混合粉料，再用50～150Mpa的压力将粉料压制成小圆片；然后将成型的压制片逐渐加热，在600～720℃保温20～30分钟，进行排胶，再在950～1250℃加热烧结并保温1～3小时；最后将烧结好的烧结体冷却到室温，得到非Bi系低压ZnO压敏陶瓷材料。