[发明专利]IGBT高压功率器件圆片背面激光退火工艺

摘要

本发明公开了属于半导体制造技术范围的一种IGBT高压功率器件圆片背面激光退火工艺。采用扫描方式进行激光退火，控制硅圆片背面沿与长条形状激光光斑的垂直方向做往复的匀速直线运动，形成激光光斑对硅圆片背面进行全面积的扫描，使硅圆片背面的表层升温，产生均匀的退火作用。采用本发明方案，能够解决P型掺杂层在离子注入后无法进行良好的退火处理的问题，使收集极金属层与紧邻硅圆片中的P型掺杂层之间形成良好的欧姆接触。使用较短波长激光，激光对硅片背面的透入深度有限，刚好能够较快地实现杂质激活，又不对IGBT高压功率器件中的其余结构部分产生不良的影响；采用本项技术能够得到导通电阻更小的IGB高压功率器件。

主权项

1.一种IGBT高压功率器件圆片背面激光退火工艺，其特征在于，对于要求在硅圆片背面的收集极金属层与紧邻的硅圆片背面的P型掺杂层之间形成欧姆接触的IGBT高压功率器件；其P型掺杂层由硅圆片背面的离子注入和随后的退火两步工艺形成，其激光退火工艺步骤为：1)激光退火的光源采用波长范围在400nm～600nm的连续激光，或用波长较长的激光光学倍频后使用；2)将振镜(7)放置在激光光源(6)的出射光路径上，控制振镜(7)的振动，使在硅圆片背面(5)上形成长条形状激光光斑(8)；3)采用扫描方式进行激光退火。控制硅圆片背面(5)，使其沿与长条形状激光光斑(8)的垂直方向(9)做往复的匀速直线运动，形成激光光斑(8)对硅圆片背面(5)的扫描；激光光束扫过硅圆片的整个背面面积，硅圆片背面(5)的表层升温，产生均匀的退火作用。