[发明专利]固载化DNA引导基片表面纳米二氧化钛薄膜生长的制备方法

摘要

本发明公开了一种固载化DNA引导基片表面纳米二氧化钛薄膜生长的制备方法，包括下述步骤：(1)基片清洗干燥；(2)基片表面DNA分子固载化；(3)将经步骤(2)处理的基片浸入含有盐酸的2～20mM TiCl₄的水溶液中，进行纳米二氧化钛薄膜的沉积，本发明的方法对环境无污染；在基片表面实现了DNA的固载化和有序组装，并以此为模板在低温下引导了纳米二氧化钛薄膜的组装和生长。用本发明的方法在基片表面上制备的二氧化钛纳米薄膜，无需经过高温煅烧既具有一定晶体结构，且膜表面均匀，与基片表面附着力强，有望用于太阳能电池透明导电薄膜和自清洁表面等功能器件的制备。

主权项

1.一种固载化DNA引导基片表面纳米二氧化钛薄膜生长的制备方法，其特征是包括下述步骤：(1)基片清洗干燥；(2)基片表面DNA分子固载化：①将清洗干燥后的基片放入体积百分比为0.5％-10％的氨基硅烷的有机溶剂溶液中在15～50℃浸泡处理30～180分钟，使其表面形成氨基硅烷的自组装膜层，将处理后的基片取出，用环己烷清洗或依次用环己烷、水清洗或依次用甲醇、水清洗或依次用环己烷、乙醇清洗，晾干或用空气吹干或用氮气吹干，并在温度为80～120℃的环境下真空干燥30～90分钟；②将经步骤①处理的基片用体积百分比为1％～3％的戊二醛水溶液在室温下浸泡0.5～1.5小时，取出，用蒸馏水洗涤后晾干或吹干；③选取碱基数为12-35的寡聚脱氧核糖核苷酸分子，将其一端进行氨基修饰，配成含有5～10μM的寡聚脱氧核糖核苷酸的缓冲溶液；④将经步骤②处理的基片浸入步骤③配制的溶液中在4℃～30℃浸泡3-18小时，取出清洗、晾干；(3)纳米二氧化钛薄膜的沉积生长：将经步骤(2)处理的基片浸入含有盐酸的2～20mMTiCl4的水溶液中，所述盐酸的浓度为0.001～1M，在15～80℃浸泡3小时～72小时或浸入2～10mM钛酸丁酯的乙醇溶液中，在15～90℃浸泡1小时～72小时或浸入2～10mM钛酸异丙酯的乙醇溶液中，在15～90℃浸泡1小时～72小时进行纳米二氧化钛薄膜的沉积。