[发明专利]非接触式电阻抗传感器及基于该传感器的图像重建方法无效

专利信息
申请号: 200810052417.7 申请日: 2008-03-12
公开(公告)号: CN101241094A 公开(公告)日: 2008-08-13
发明(设计)人: 王化祥;曹章 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: G01N27/04 分类号: G01N27/04;A61B5/053
代理公司: 天津才智专利商标代理有限公司 代理人: 吕志英
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明提供一种非接触式电阻抗传感器,该传感器安装于测量区域,该传感器的径向截面结构是由四层结构组成,由外及内依次为金属管层,绝缘物质层,电极阵列层以及绝缘环层,所述附着在绝缘环层上的电极数至少有二个,均匀分布在同一圆周上,所述绝缘物质层的厚度小于绝缘环层外径的1%,且使电极阵列与金属管层之间电场强度小于绝缘物质层的击穿强度所述电极阵列层通过绝缘环层与测量区域隔离。还提供二种基于该传感器实现电阻抗层析成像的图像重建方法。本发明给出了其解析模型及相应的灵敏场分布表达式及两种快速成像方法,该传感器可实现同步同位置的双模态阻抗测量,有利于阻抗分布实部和虚部信息的相互融合,简化了双模态测量系统软硬件的设计和实现。
搜索关键词: 接触 阻抗 传感器 基于 图像 重建 方法
【主权项】:
1、一种非接触式电阻抗传感器,该传感器安装于测量区域,该传感器的径向截面结构是由四层结构组成,由外及内依次为金属管层(1),绝缘物质层(2),电极阵列层(3)以及绝缘环层(4),所述附着在绝缘环层(4)上的电极数至少有二个,均匀分布在同一圆周上,所述绝缘物质层(2)的厚度小于绝缘环层(4)外径的1%,且使电极阵列(3)与金属管层(1)之间电场强度小于绝缘物质层(2)的击穿强度,其特征是:所述电极阵列层(3)通过绝缘环层(4)与测量区域隔离。
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