[发明专利]一种穿通效应增强型硅光电晶体管

摘要

本发明涉及一种穿通效应增强型硅光电晶体管。包括NPN和PNP两种类型，其由下至上包括硅衬底层，位于硅衬底层上的P阱(或N阱)层，位于P阱(或N阱)层内的两个分立的N型(或P型)重掺杂有源区，位于P阱(或N阱)层内、被两个N型(或P型)重掺杂有源区环绕的场区二氧化硅层，位于P阱(或N阱)层窄侧和场区二氧化硅层上表面的两个分立的条形栅氧二氧化硅层，覆盖在栅氧二氧化硅层上、与栅氧二氧化硅层形状相同的两个分立的多晶硅层，位于P阱(或N阱)层宽侧上表面且与两个分立的N型(或P型)重掺杂有源区的分别连接的条形金属电极层。该器件可以有效提高器件光电转换增益，限制器件的暗电流，降低器件噪声，得到高的信噪比。

主权项

1、NPN型穿通效应增强型硅光电晶体管，其特征在于：由下至上依次包括硅衬底层(1)，位于硅衬底层(1)内的P阱层(2)，位于P阱层(2)内的两个分立的N型重掺杂有源区(3，3’)，位于P阱层内、被两个N型重掺杂有源区(3，3’)环绕的场区二氧化硅层(6)，位于P阱层(2)窄侧和场区二氧化硅层(6)上表面的两个分立的条形栅氧二氧化硅层(4，4’)，覆盖在栅氧二氧化硅层(4，4’)上、与栅氧二氧化硅层形状相同的两个分立的多晶硅层(5，5’)，位于P阱层(2)宽侧上表面且与两个分立的N型重掺杂有源区(3，3’)分别相连的条形金属电极层(7，7’)。