[发明专利]一种低温圆片键合方法无效
| 申请号： | 200810047370.5 | 申请日： | 2008-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN101261932A | 公开（公告）日： | 2008-09-10 |
| 发明（设计）人： | 陈明祥;刘文明;刘胜 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/50;B81C1/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 | 代理人： | 曹葆青 |
| 地址： | 430074湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种低温圆片键合方法，分别在两圆片的键合区制作焊料层，在其中一圆片的焊料层表面制作活性反应层，将两圆片的键合区对准，向键合区施加挤压力，同时向活性反应层提供一个能量激励，使其发生固相反应产生大量热量，从而熔化焊料层实现两圆片的键合。本发明满足热膨胀系数差较大的同质或异质材料间的键合要求，提高了电子器件的封装效率，同时降低键合过程中产生的热变形、残余热应力对器件性能的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 圆片键合 方法 | ||
【主权项】：
1、一种低温圆片键合方法，分别在两圆片的键合区制作焊料层，其特征在于，还在其中一圆片的焊料层表面制作活性反应层，将两圆片的键合区对准，向键合区施加挤压力，同时向活性反应层提供一个能量激励，使其发生固相反应产生大量热量，从而熔化焊料层实现两圆片的键合。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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