[发明专利]一种制备金属硒化物薄膜的方法无效

专利信息
申请号: 200810046658.0 申请日: 2008-01-10
公开(公告)号: CN101214933A 公开(公告)日: 2008-07-09
发明(设计)人: 胡云香;周东祥;龚树萍;李鹏冲;郑志平;刘欢 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: C01B19/04 分类号: C01B19/04
代理公司: 华中科技大学专利中心 代理人: 曹葆青
地址: 430074湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种制备金属硒化物薄膜的方法,步骤为:先将摩尔比为(0.5~2)∶1的乙酰丙酮金属盐和硒化三辛基膦共同溶解于乙酰丙酮等溶剂,配成乙酰丙酮金属盐浓度为12.5~50m mol/L的前驱体溶液;在保护气氛下,对上述配制好的前驱体溶液进行雾化处理,将得到的气溶胶加热至300~550℃,使前驱体发生反应,生成金属硒化物,并使金属硒化物沉积到衬底上,待衬底上所形成薄膜达到所需的厚度时冷却。本发明方法可以方便灵活的改变原料之间的配比,以得到需要的产物,且原料更为廉价。这种制备方法使用的设备简单,适用于多种金属硒化物薄膜的制备。
搜索关键词: 一种 制备 金属 硒化物 薄膜 方法
【主权项】:
1.一种制备金属硒化物薄膜的方法,其步骤包括:(1)先将摩尔比为(0.5~2)∶1的乙酰丙酮金属盐和硒化三辛基膦共同溶解于溶剂,配成乙酰丙酮金属盐浓度为12.5~50m mol/L的前驱体溶液,其中,溶剂为乙酰丙酮、二氯甲烷、甲苯、丙酮或异丙醇;(2)在保护气氛下,对上述配制好的前驱体溶液进行雾化处理,将得到的气溶胶加热至300~550℃,使前驱体发生反应,生成金属硒化物,并使金属硒化物沉积到衬底上,待衬底上所形成金属硒化物薄膜达到所需的厚度时冷却。
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