[发明专利]一种高压BCD器件的制备方法

摘要

一种高压BCD器件的制备方法，属于半导体制造技术领域。包括以下步骤：生长外延；制备Nwell；制备Pwell；制备Deep-N⁺；高温推结；制备Pbase；制备Pbody；制备Pwell2制备Pchstop；制备Nchstop；高温推结；制备场氧；制备栅及场板；制备PSD；制备NSD；制备欧姆孔；制备薄膜电阻；形成金属层；制备钝化层；制备PAD。通过本发明可在同一芯片上制作高压DMOS、高压采样、低压BJT、低压CMOS、N型和P型两种电容、阱电阻以及精确薄膜电阻等器件。可制作更高耐压的DMOS器件和采样器件，可制作性能较好的双极器件，可提供包括精确修调电阻在内的两种电阻以及两种类型的电容，电路设计者可以根据需要进行灵活选择。本发明还具有普适性和不同IC生产线可移植性好，高低压器件兼容性好，成本相对较低等优点。

主权项

1、一种高压BCD器件的制备方法，包括以下的工艺步骤：步骤1：生长外延；采用P型硅衬底，在Bipolar区和阱电阻区采用As光刻版进行光刻，砷注入，并高温推结形成NBL埋层，最后生长P型外延；步骤2：制备Nwell；在高压DMOS区、采样器件区、PMOS区、Bipolar区、N阱电容区和阱电阻区采用Nwell光刻版进行光刻，磷注入，形成Nwell；步骤3：制备Pwell；在NMOS区和P阱电容区采用Pwell光刻版进行光刻，硼注入，形成Pwell；步骤4：制备Deep-N+；在Bipolar集电极区采用Deep-N+光刻版进行光刻，Deep-N+磷注入，形成Deep-N+；步骤5：高温推结；对Nwell、Pwell以及Deep-N+同时进行高温推结，保证Nwell和Deep-N+与NBL交叠；步骤6：制备Pbase；在Bipolar基极区以及阱电阻区采用Pbase光刻版进行光刻，硼注入，然后进行高温推结形成Pbase；步骤7：制备Pbody；在高压DMOS部分区采用Pbody光刻版进行光刻，硼注入，形成Pbody；步骤8：制备Pwell2；在高压DMOS和采样器件部分区域采用Pwell2光刻版进行光刻，硼注入，形成Pwell2；步骤9：制备Pchstop；在NMOS周围、高压DMOS和采样器件周围、Bipolar周围和N阱电容区采用Nchstop光刻版进行光刻，硼注入，形成Nchstop；步骤10：制备Nchstop；在PMOS周围和P阱电容区采用Pchstop光刻版进行光刻，磷注入，形成Pchstop区；步骤11：高温推结；对Pbody、Pwell2和沟道截止环区同时进行高温推结；步骤12：制备场氧；整个硅片进行LPCVD氮化硅淀积，在需要制作器件的区域采用Active光刻版进行有源区刻蚀，高压氧化形成场氧；步骤13：制备栅及场板；在有源区生长栅氧，多晶硅淀积、掺杂，并采用Poly光刻版进行刻蚀形成MOS管的栅和高压终端场板；步骤14：制备PSD；在PMOS的源漏、电阻的引出端、Bipolar的基区、高压DMOS和采样器件的称底接触区、P阱电容的称底接触区以及N阱电容的引出端采用PSD光刻版进行光刻，并进行P+硼注入，形成PSD；步骤15：制备NSD；在高压DMOS和采样器件的源漏、NMOS的源漏、Bipolar的集电极和发射极、PMOS的称底接触区、电阻和N阱电容的称底接触区以及P阱电容的引出端采用NSD光刻版进行光刻，并进行N+磷注入，制备NSD；步骤16：制备欧姆孔；在芯片需要接引线的区域采用Omicont光刻版进行欧姆孔刻蚀；步骤17：制备薄膜电阻；在需要精确电阻的区域进行TiW/SiCr溅射，并采用TiW/SiCr光刻版进行刻蚀形成精确的薄膜电阻；步骤18：形成金属层；金属溅射，采用Metal光刻版刻蚀，形成金属引线；步骤19：制备钝化层；二氧化硅和氮化硅淀积、刻蚀形成钝化层；步骤20：制备PAD；采用Pad光刻版在芯片上用来接外围电路的位置刻蚀PAD。