[发明专利]栅极形成方法有效
| 申请号： | 200810043942.2 | 申请日： | 2008-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN101740362A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 陈华伦;陈雄斌;陈瑜;熊涛;罗啸 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种栅极形成方法，在衬底上淀积用作栅氧的二氧化硅之后，包括如下步骤：1)在所述二氧化硅上淀积一层多晶硅，而后在多晶硅上淀积另一层二氧化硅作为二氧化硅保护层；2)接着对所述多晶硅进行掺杂以达到预定的多晶硅的阻值；3)采用光刻工艺定义出栅极位置；4)利用步骤3中光刻工艺后留下的光刻胶图形为掩膜，将栅极位置处的去除所述多晶硅上的所述另一层二氧化硅，之后去胶清洗；5)进行金属硅化物形成工艺，在露出的多晶硅上形成金属硅化物；6)以金属硅化物为掩膜，刻蚀多晶硅形成栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种栅极形成方法，其特征在于，在衬底上淀积用作栅氧的二氧化硅之后，包括如下步骤：1)在所述二氧化硅上淀积一层多晶硅，而后在多晶硅上淀积另一层二氧化硅作为二氧化硅保护层；2)接着对所述多晶硅进行杂质掺杂以达到预定的多晶硅的阻值；3)采用光刻工艺定义出栅极位置；4)利用步骤三中光刻工艺后留下的光刻胶图形为掩膜，将栅极位置处的去除所述多晶硅上的所述另一层二氧化硅，之后去胶清洗；5)进行金属硅化物形成工艺，在露出的多晶硅上形成金属硅化物；6)以步骤五中形成的金属硅化物为掩膜，进行依次刻蚀去除未被金属硅化物覆盖的二氧化硅保护层和多晶硅，剩余的多晶硅形成栅极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810043942.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
