[发明专利]用低压MOS晶体管耐高压的解码电路和实现方法有效
| 申请号： | 200810043652.8 | 申请日： | 2008-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN101635165A | 公开（公告）日： | 2010-01-27 |
| 发明（设计）人： | 王楠;冯国友 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C8/10 | 分类号： | G11C8/10;G11C16/08;G11C16/30 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用低压MOS晶体管耐高压的解码电路，两倍负压分压通过两级串接的CMOS反相器实现；在实现两倍负压时，所述CMOS反相器中的PMOS晶体管的源极切换为高阻，衬底切换为地；第一个CMOS反相器中的NMOS晶体管的源极接0.5倍负高压，第二个CMOS反相器中的NMOS晶体管的源极接负高压；第一个CMOS反相器的输入端接地，其输出为0.5倍负高压，第二个CMOS反相器的输出为负高压。本发明还公开了一种所述解码电路的实现方法以及采用所述解码电路的存储器电路。本发明能够有效减少器件所占用的面积；适用于非挥发性存储器领域，实现高压操作时的高压输出和常压操作时的快速解码输出。 | ||
| 搜索关键词： | 低压 mos 晶体管 高压 解码 电路 实现 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用低压MOS晶体管耐高压的解码电路，包括：两个串接的CMOS反相器，其特征在于：还包括四个开关，所述四个开关均具有一个公共端，两个连接端和一个控制端；第一个CMOS反相器的PMOS晶体管(MP1)的衬底，与第二个CMOS反相器的PMOS晶体管(MP2)的衬底和第二个开关(KA2)的公共端相连接，第二个开关(KA2)的两个连接端分别悬空和接地；第一个CMOS反相器的PMOS晶体管(MP1)的源极，与第二个CMOS反相器的PMOS晶体管(MP2)的源极和第一个开关(KA1)的公共端相连接，第一个开关(KA1)的两个连接端分别悬空和接地；第一个CMOS反相器的NMOS晶体管(MN1)的源极与衬底，和第三个开关(KA3)的公共端相连接，第三个开关(KA3)的两个连接端分别接0.5倍负高压和接地；第二个CMOS反相器的NMOS晶体管(MN2)的源极与衬底，和第四个开关(KA4)的公共端相连接，第四个开关(KA4)的两个连接端分别接负高压和接地。
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