[发明专利]干法刻蚀小开口密度结构监控刻蚀终点的方法有效
| 申请号： | 200810043264.X | 申请日： | 2008-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN101562121A | 公开（公告）日： | 2009-10-21 |
| 发明（设计）人： | 吕煜坤;孙娟 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周 赤 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种干法刻蚀小开口密度结构监控刻蚀终点的方法，包括如下步骤：(1)通过在非器件区增加至少一个监控结构增大开口密度；(2)采用等离子刻蚀方法监控终点。本发明通过增加监控结构，或者当刻蚀层膜质和刻蚀底层膜质相同时，通过增加不同于刻蚀材料的膜质监控结构来增加刻蚀的停止层，同时使开口密度增加到大于3％，从而使用等离子刻蚀终点检测的方法监控刻蚀终点，可以精确控制CD和残膜厚度，大幅度增加刻蚀工艺窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 开口 密度 结构 监控 终点 方法 | ||
【主权项】：
1、一种干法刻蚀小开口密度结构监控刻蚀终点的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)通过在非器件区增加至少一个监控结构增大开口密度；(2)采用等离子刻蚀方法监控终点。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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