[发明专利]磁场下制备单晶硅太阳能电池绒面的方法有效
| 申请号： | 200810042332.0 | 申请日： | 2008-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN101350380A | 公开（公告）日： | 2009-01-21 |
| 发明（设计）人： | 苏青峰 | 申请（专利权）人： | 上海联孚新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海金盛协力知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杜林雪 |
| 地址： | 201201上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磁场下单晶硅太阳能电池高效绒面的制备方法，采用磁场下化学腐蚀的方法在单晶硅片表面生长致密均匀的绒面，该方法具有以下工艺步骤：首先，将单晶硅片放入配好反应液的绒面制备反应器中使其反应，同时将绒面制备反应器放置于磁场中，所述反应液的配比为：氢氧化钠或氢氧化钾质量百分数为0.05％～15％，乙醇或异丙醇的质量百分数为5％～30％，硅酸钠的质量百分数为0.05％～3％；反应液的温度保持在50℃～100℃。其次，磁场施加于单晶硅太阳能电池绒面制备的整个阶段，磁场强度保持在10T以下，绒面制备时间10～45分钟。通过该方法可以在单晶硅片表面生长致密均匀的绒面，从而实现磁场下单晶硅太阳电池绒面的高效均匀产生。 | ||
| 搜索关键词： | 磁场 制备 单晶硅 太阳能电池 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁场下制备单晶硅太阳能电池绒面的方法，其特征在于：采用磁场下化学腐蚀的方法在单晶硅片表面生长致密均匀的绒面，该方法具有以下工艺步骤：a.将单晶硅片放入配好反应液的绒面制备反应器中使其反应，同时将绒面制备反应器放置于磁场中，所述反应液的配比为：氢氧化钠或氢氧化钾质量百分数为0.05％～15％，乙醇或异丙醇的质量百分数为5％～30％，硅酸钠的质量百分数为0.05％～3％；反应液的温度保持在50℃～100℃；b.磁场施加于单晶硅太阳能电池绒面制备的整个阶段，磁场强度保持在10T以下，绒面制备时间10～45分钟。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
