[发明专利]选择性发射极太阳能电池单元及其制造方法有效
| 申请号： | 200810041831.8 | 申请日： | 2008-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN101656273A | 公开（公告）日： | 2010-02-24 |
| 发明（设计）人： | 林章申 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/042 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 201210*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种选择性发射极太阳能电池单元的制造方法，包括：提供具有埋栅电极的选择性发射极太阳能电池单元基体；在太阳能电池单元基体的受光面形成防反射层；在防反射层上形成母线；使母线穿过防反射层与埋栅电极相连接。相应地，本发明还提供一种选择性发射极太阳能电池单元。本发明将发射极电极与母线分开制作，根据实际使用需要缩小发射极电极的宽度，减少了不必要的使用面积，增加了太阳能电池板接收太阳光的有效面积。本发明将太阳能电池的转换效率从原来的16.5％提高到18％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 选择性 发射极 太阳能电池 单元 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种选择性发射极太阳能电池单元的制造方法，其特征在于，包括：提供具有埋栅电极的选择性发射极太阳能电池单元基体；在太阳能电池单元基体的受光面形成防反射层；在防反射层上形成母线；使母线穿过防反射层与埋栅电极相连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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