[发明专利]微型处理器控制的稳磁装置无效
申请号: | 200810040706.5 | 申请日: | 2008-07-17 |
公开(公告)号: | CN101404200A | 公开(公告)日: | 2009-04-08 |
发明(设计)人: | 翁新华;朱爱 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | H01F13/00 | 分类号: | H01F13/00 |
代理公司: | 上海交达专利事务所 | 代理人: | 王锡麟;王桂忠 |
地址: | 200240*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种退磁技术领域的微型处理器控制的稳磁装置,包括:储能电容、稳磁线圈、双向可控硅、限流电阻、取样分压第一电阻、取样分压第二电阻、取样分压第三电阻、取样分压第四电阻、测控单元、微型处理器、稳磁值设置单元、显示单元,四个电阻串联连接,形成三个分压值以供测控单元取样,储能电容并接于串联的电阻两端,稳磁线圈与储能电容和限流电阻连接,形成一个充放电回路,稳磁线圈的一端与双向可控硅一端连接,双向可控硅的另一端与测控单元和微型处理器分别连接,微型处理器根据反馈信号控制双向可控硅的通断,显示单元负责检测磁通量密度值,一端与微处理单元相连,稳磁值设定单元分别与测控单元、微型处理器、取样分压第四电阻相连。 | ||
搜索关键词: | 微型 处理器 控制 装置 | ||
【主权项】:
1、一种微型处理器控制的稳磁装置,包括:储能电容(C)、稳磁线圈(L),其特征在于,还包括:双向可控硅(K)、限流电阻(R0)、取样分压第一电阻(R1)、取样分压第二电阻(R2)、取样分压第三电阻(R3)、取样分压第四电阻(R4)、测控单元、微型处理器、稳磁值设置单元、显示单元,取样分压第一电阻(R1)与取样分压第二电阻(R2)、取样分压第三电阻(R3)、取样分压第四电阻(R4)串联连接,形成三个分压值以供测控单元取样,储能电容(C)并接于取样分压第一电阻(R1)、取样分压第二电阻(R2)、取样分压第三电阻(R3)、取样分压第四电阻(R4)串联连接的两端,稳磁线圈(L)与储能电容(C)和限流电阻(R0)连接,形成一个充放电回路,充电时产生的电流对放置在稳磁线圈(L)内的磁钢体进行充磁,放电时对放置在稳磁线圈(L)内的磁钢体进行退磁,稳磁线圈(L)的一端与双向可控硅(K)一端连接,双向可控硅(K)的另一端与测控单元和微型处理器分别连接,作为电路的充放电控制开关,微型处理器根据反馈信号控制双向可控硅(K)的通断,显示单元负责检测磁通量密度值,一端与微处理单元相连,稳磁值设定单元分别与测控单元、微型处理器、取样分压第四电阻(R4)相连,用于设定稳磁值。
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