[发明专利]一种可擦写可读出的薄膜型电阻开关器件及其制备方法无效
申请号: | 200810038579.5 | 申请日: | 2008-06-05 |
公开(公告)号: | CN101290972A | 公开(公告)日: | 2008-10-22 |
发明(设计)人: | 徐伟;董元伟 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | H01L51/05 | 分类号: | H01L51/05;H01L51/30;H01L51/10;H01L51/40;H01L27/28;G11C11/56;G11C16/02 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人: | 陆飞;盛志范 |
地址: | 20043*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明属于微电子器件和功能薄膜技术领域,具体涉及一种可擦写、可读出的薄膜型电阻开关器件及其制作方法。该器件的结构为:金属-功能介质层-金属(M1-Functional layer-M2)结构,二端的金属层做电极。其中的功能介质层采用溶液吸附方法沉积硫氰膜,再通过自然固化方法形成的聚硫氰薄膜。这种夹层结构的薄膜器件具有稳定的可逆电阻开关特性,二种状态的阻值比为103~106,可作为开关器件和存储器件使用,器件的制作工艺非常简单。 | ||
搜索关键词: | 一种 擦写 读出 薄膜 电阻 开关 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种可擦写可读出的薄膜型电阻开关器件,其特征在于该器件结构组成依次为:金属底电极、功能介质层、金属顶电极,这里,金属底电极为铜膜,厚度为150nm-300nm,金属顶电极为铝膜,厚度为80nm-150nm;功能介质层为由铜底电极在硫氰溶液中吸附硫氰,然后自然固化形成的聚硫氰薄膜。
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