[发明专利]一次写入多次读取的电存储器件及其制备方法

摘要

本发明属于微电子器件和功能薄膜技术领域，具体涉及一种一次写入多次读取的电存储器件及其制备方法。器件结构为：铜－配位聚合物介质层－铝(Cu－Coordination polymer－Al)结构，二端的金属层做电极。其中的配位聚合物介质层为由特定结构的有机配体分子N2S3与铜底电极表面反应，原位形成的配位聚合物薄膜。本发明制备的薄膜器件具有极高的可靠性和成品率，二种状态的阻值比为10⁷～10⁸，可作为一次写入多次读取器件使用。此外，也可以用做其他领域，比如作为过电压保护器使用。

主权项

1、一次写入多次读取的电存储器件，其特征在于该器件的结构组成依次为金属底电极、配位聚合物介质层、金属顶电极；其中金属底电极为铜膜，厚度为150-300nm；金属顶电极为铝膜，厚度为80-150nm；中间的配位聚合物介质层是由有机配体分子与金属底电极表面发生反应，原位形成的配位聚合物薄膜，该有机配体为2，5-二巯基-1，3，4-噻二唑，分子式为C2H2N2S3。