[发明专利]通过结构优化提高出光效率的发光二极管芯片及其制造工艺无效
| 申请号： | 200810037354.8 | 申请日： | 2008-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN101276868A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 殷录桥;张建华;王书方;马可军;李抒智 | 申请（专利权）人： | 上海大学;上海半导体照明工程技术研究中心 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所 | 代理人： | 何文欣 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及了一种通过结构优化提高出光效率的发光二极管芯片及其制造工艺，它包括p型金pad、n型金pad、发光有源层、衬底、透明电流扩展层、填充体，其中发光有源层通过MOCVD设备生长在衬底上，其中间有一层过渡层，填充体填充在发光有源层被刻蚀的一个孔里，透明电流扩展层通过薄膜生长技术生长在发光有源层表面，p型金pad蒸镀在透明电流扩展层上面，n型金pad在发光有源层被刻蚀掉的一个角位置上，本发明避免了发光有源层耗能不出光的缺陷，从而达到提高出二极管的出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 结构 优化 提高 效率 发光二极管 芯片 及其 制造 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种通过结构优化提高出光效率的发光二极管芯片，包括衬底(4)、衬底上的发光有源层(3)、透明电流扩展层(5)以及p型金pad(1)和n型金pad(2)，其特征在于：a.所述发光有源层(3)生长在衬底(4)上，其中间有一层过渡层(7)；b.有一个填充体(6)填充在发光有源层(3)被刻蚀的一个孔里；c.所述透明电流扩展层(5)生长在发光有源层(3)表面；d.所述p型金pad(1)蒸镀在透明电流扩展层(5)上面；e.所述n型金pad(2)在发光有源层(3)被刻蚀掉的一个角位置上。
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