[发明专利]使用肖特基二极管为选通管的相变存储单元及制备方法

摘要

本发明属于微电子技术领域，本发明公开了一种具有肖特基二极管的相变存储器件及其制备方法。其基本特征在于：该结构单元由肖特基二极管与相变存储器构成，肖特基二极管作为相变存储器的选通管，肖特基二极管通过固相外延技术生长N型或者P型Si单晶薄膜，与金属薄膜构成金属半导体接触。该方法制备的肖特基二极管有性能稳定，速度快，驱动电流大的特点。本发明公开的结构特点是用于高密度相变存储器，同时降低相变存储器生产成本。

主权项

1、一种使用肖特基二极管为选通管的相变存储单元结构，其特征在于所提供的相变存储单元具有平行的导电位线，位线与肖特基二极管的一端相连；肖特基二极管的另一端则与相变存储单元的下电极相连，相变存储单元的上电极与平行的导电字线相连。