[发明专利]一种热载流子注入测试MOS器件的方法

摘要

本发明提供的一种热载流子注入测试MOS器件的方法包括以下步骤：1.根据JEDEC标准，对器件进行热载流子注入实验，计算所测试出的电学参数衰退幅度值；2.将不同时间点下计算出的MOS器件电学参数衰退幅度数据利用公式y＝Atⁿ+Bexp(c/t)+Dln(t)+E进行拟合；3.据步骤2的拟合结果，确定步骤2中公式中指数n和常数A、B、C、D、E值；4.依据步骤3得出的电学参数退化规律的计算公式来推算所测试的MOS器件的电学参数的可靠性是否合格。通过采用步骤2中拟合公式可刻画MOS器件电学参数在整个阶段的变化规律，克服了胡模型中密指数函数拟合精度不高和人为因素导致的测试结果不同的问题，从而提高了MOS器件性能评估的准确度。

主权项

1、一种热载流子注入测试MOS器件的方法，所述MOS器件热载流子的注入基于JEDEC标准，其特征在于，该方法包括以下步骤：步骤1：根据JEDEC标准，对器件进行热载流子注入实验，记录不同电压加载时间下所测试的MOS器件电学参数数据值，计算所测试出的电学参数衰退幅度值；步骤2：将不同时间点下计算出的MOS器件电学参数衰退幅度数据利用以下公式进行拟合；$y={\mathrm{At}}^n+\mathrm{Bexp}\left(\frac{C}{t}\right)+D\ln \left(t\right)+E其中，t为测试时间值，y代表拟合得出的所测试的MOS器件电学参数衰退幅度数据，n、A、B、C、D和E为6个待定常数；步骤3：根据步骤2的拟合结果，确定步骤2中公式中指数n和常数A、B、C、D、E值，此时得出的公式即为热载流子注入MOS器件后所测试的电学参数退化规律的计算公式；步骤4：依据步骤3得出的电学参数退化规律的计算公式来推算所测试的MOS器件的电学参数的可靠性是否合格。$