[发明专利]一种热载流子注入测试MOS器件的方法

权利要求书

1、一种热载流子注入测试MOS器件的方法，所述MOS器件热载流子的注入基于JEDEC标准，其特征在于，该方法包括以下步骤：

步骤1：根据JEDEC标准，对器件进行热载流子注入实验，记录不同电压加载时间下所测试的MOS器件电学参数数据值，计算所测试出的电学参数衰退幅度值；

步骤2：将不同时间点下计算出的MOS器件电学参数衰退幅度数据利用以下公式进行拟合；

y=Atn+Bexp(Ct)+Dln(t)+E]]>

其中，t为测试时间值，y代表拟合得出的所测试的MOS器件电学参数衰退幅度数据，n、A、B、C、D和E为6个待定常数；

步骤3：根据步骤2的拟合结果，确定步骤2中公式中指数n和常数A、B、C、D、E值，此时得出的公式即为热载流子注入MOS器件后所测试的电学参数退化规律的计算公式；

步骤4：依据步骤3得出的电学参数退化规律的计算公式来推算所测试的MOS器件的电学参数的可靠性是否合格。

2、如权利要求1所述的热载流子注入测试MOS器件的方法，其特征在于，所述步骤1中所测试MOS器件电学参数衰退幅度通过以下公式进行计算：

M＝(M-M₀)/M₀

其中，M为不同时间下所记录的电学参数值，M₀为测试时间为零秒时对应的电学参数值。

3、如权利要求1所述的热载流子注入测试MOS器件的方法，其特征在于，所述测试的MOS器件电学参数包括：线性区漏端电流、饱和区漏端电流和线性区最大跨导。

4、如权利要求1所述的热载流子注入测试MOS器件的方法，其特征在于，所述步骤3中得出的所测试的电学参数退化规律的计算公式与测试数据之间的拟合精度采用相关系数描述。

5、如权利要求1所述的热载流子注入测试MOS器件的方法，其特征在于，所述步骤4中推算MOS器件的电学参数的可靠性是否合格是通过给定步骤3中得出的公式的测试时间，计算所述给定测试时间下所测试电学参数y的值是否超过预设电学参数的衰退幅度。