[发明专利]抗差分功耗分析攻击的全定制先进密码算法的字节替换电路无效

专利信息
申请号: 200810034326.0 申请日: 2008-03-06
公开(公告)号: CN101527628A 公开(公告)日: 2009-09-09
发明(设计)人: 韩军;李亮;曾晓洋;赵佳 申请(专利权)人: 复旦大学
主分类号: H04L9/06 分类号: H04L9/06;H03K19/0948
代理公司: 上海正旦专利代理有限公司 代理人: 陆 飞;盛志范
地址: 20043*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明属于信息安全芯片设计技术领域,具体为一种抗差分功耗攻击的全定制先进密码算法的字节替换电路。本发明提出的AES SubByte电路用下列基本单元实现:反应器INV、两输入灵敏放大器与门(AND2D1)、三输入灵敏放大器与门(AND3D1)、两输入灵敏放大器异或门(XOR2D1)和三输入灵敏放大器异或门(XOR3D1)。本发明用流水线结构代替直接相连,以较小的面积代价获得较高的速度,采用的锁存器是基于灵敏放大器逻辑的触发器。本发明能够实现电路的功耗与运算数据及操作顺序的无关性,从而能够有效地防止差分功耗分析攻击。本发明采用SMIC 0.18μm CMOS工艺,电路工作频率达到83.3MHz,其版图面积约为0.85mm2。本发明可以广泛应用于高度安全性的对称加密运算设备。
搜索关键词: 抗差分 功耗 分析 攻击 定制 先进 密码 算法 字节 替换 电路
【主权项】:
1、一种抗差分功耗分析攻击的全定制AES SubByte电路,其特征在于AES SubByte模块用下列基本单元实现:INV、AND2D1、AND3D1、XOR2D1和XOR3D1;其中INV是普通cmos的反相器,AND2D1、AND3D1、XOR2D1和XOR3D1是基于灵敏放大器逻辑基本单元,用流水线结构代替直接相连,采用的锁存器是基于灵敏放大器逻辑的锁存器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于复旦大学,未经复旦大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810034326.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top