[发明专利]热敏电阻及其制造方法无效
| 申请号： | 200810033694.3 | 申请日： | 2008-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN101515496A | 公开（公告）日： | 2009-08-26 |
| 发明（设计）人： | 付佳旭;胡方;刘蓓珍 | 申请（专利权）人： | 付佳旭;胡方;刘蓓珍 |
| 主分类号： | H01C7/04 | 分类号： | H01C7/04 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈 亮 |
| 地址： | 150000黑龙江省哈尔滨市南*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种热敏电阻，包括半导体基体和两电极结构。其中，半导体基体的材料是经过重金属掺质掺杂补偿的掺杂半导体，而具有负温度系数的特性。两电极结构分别配置于半导体基体的两对向端。 | ||
| 搜索关键词： | 热敏电阻 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种热敏电阻，包括：一半导体基体，其中该半导体基体的材料是经过一重金属掺质掺杂补偿的掺杂半导体，而具有负温度系数的特性；以及两电极结构，分别配置于该半导体基体的两对向端。
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