[发明专利]低紫外光学损耗的氧化铝薄膜的制备方法无效
| 申请号: | 200810033200.1 | 申请日: | 2008-01-29 |
| 公开(公告)号: | CN101220455A | 公开(公告)日: | 2008-07-16 |
| 发明(设计)人: | 尚淑珍;赵祖欣;周文煊;黄俊 | 申请(专利权)人: | 华东理工大学 |
| 主分类号: | C23C14/08 | 分类号: | C23C14/08;C23C14/26;C23C14/02;B08B3/12;C23C14/54;C23C14/58 |
| 代理公司: | 上海顺华专利代理有限责任公司 | 代理人: | 谈顺法 |
| 地址: | 200237*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | 一种低紫外光学损耗的氧化铝薄膜的制备方法,该方法主要包括下列步骤:首先将基片在水中进行超声波清洗,再用石油醚经过仔细擦洗。然后将基片和材料放入真空室内的夹具上和坩埚里,采用电子束热蒸发方法镀氧化铝薄膜。镀膜过程中不充入反应气体,残余气体为空气,工作真空度为3.5×10-3Pa-7.5×10-3Pa,沉积温度为300℃-350℃。最后采用镀膜后退火处理技术对沉积的薄膜进行后处理,退火炉中的气体为空气。本发明方法可大幅度降低氧化铝薄膜的紫外光学损耗,而且具有效率高、工艺简单和成本较低的特点。 | ||
| 搜索关键词: | 紫外 光学 损耗 氧化铝 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种低紫外光学损耗氧化铝薄膜的制备方法,其特征在于,该方法包含下列步骤:1)将颗粒状氧化铝材料放入电子束热蒸发镀膜设备真空室内的坩埚里,氧化铝材料的纯度标定在99.9%以上;2)将基片在水中进行超声波清洗,时间为1-2分钟;将清洗过的基片用石油醚擦洗后装入真空室内的夹具上;3)抽真空半小时后开始加烘烤,烘烤温度为300℃-350℃;4)本底真空度达到6.5×10-3Pa时开始对材料进行预融,预融后镀膜,工作真空度为3.5×10-3-7.5×10-3Pa,残余气体为空气;5)将镀膜后的样品冷却后取出,进行镀膜后退火处理,退火处理采用普通的加热炉,退火气氛为空气,退火温度为300℃-400℃,保温时间为1-2小时,即制得氧化铝薄膜。
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