[发明专利]杂芴基高分子光电功能材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200810024523.4 | 申请日： | 2008-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN101250406A | 公开（公告）日： | 2008-08-27 |
| 发明（设计）人： | 黄维;陈润锋;范曲立 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | C09K11/06 | 分类号： | C09K11/06;C08G61/00 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 叶连生 |
| 地址： | 210003江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 杂芴基高分子光电功能材料及其制备方法为一种制备芴9位上的碳被杂原子取代后形成的杂芴及其高分子光电材料的通用方法。其分子链中含有杂芴链节，具有如上结构，其中，R1、R2为苯基、噻吩基、吡啶基、链长为C1～C18的烷基(如甲基、十八烷基等)，或为氧取代基，或者不存在；R3为甲基、甲氧基、烷氧基、特丁基等邻对位取代基中的一种；X为锗、锡、硼、磷、硫、铟、镓、汞等杂原子中的一种；Ar为苯环、噻吩、吡咯、吡啶、联吡啶、9，9’－二取代芴、噁二唑以及他们衍生物中的一种；m和n为聚合物的链节数。 | ||
| 搜索关键词： | 杂芴基 高分子 光电 功能 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种杂芴基高分子光电功能材料，其特征在于其分子链中含有杂芴链节，具有如下结构：![]()
其中，R1、R2为苯基、噻吩基、吡啶基、链长为C1～C18的烷基，或为氧取代基，或者不存在；R3为甲基、甲氧基、烷氧基、特丁基等邻对位取代基中的一种；X为锗、锡、硼、磷、硫、铟、镓、汞等杂原子中的一种；Ar为苯环、噻吩、吡咯、吡啶、联吡啶、9，9’一二取代芴、噁二唑以及他们衍生物中的一种；m和n为聚合物的链节数。
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