[发明专利]不含磷的基于氮化物的红和白发光二极管的制造有效
| 申请号： | 200780101059.8 | 申请日： | 2007-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN101821861A | 公开（公告）日： | 2010-09-01 |
| 发明（设计）人： | 苏周明;蔡树仁;刘伟;藤京华 | 申请（专利权）人： | 新加坡科技研究局 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L27/15;H01L29/15 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 张春媛;阎娬斌 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 提供了一种用于发光二极管的多量子阱(MQW)结构以及用于制造用于发光二极管的MQW结构的方法。该MQW结构包括多个量子阱结构，每个量子阱结构包括：势垒层；以及形成于势垒层上的阱层，所述阱层中嵌有量子点纳米结构，势垒层和阱层包括第一基于金属氮化物的材料；其中，量子阱结构中的至少一个还包括形成于阱层上的盖层，该盖层包括第二基于金属氮化物的材料，所述第二基于金属氮化物的材料具有与第一基于金属氮化物的材料不同的金属元素。 | ||
| 搜索关键词： | 不含磷 基于 氮化物 白发 二极管 制造 | ||
【主权项】：
一种用于发光二极管的多量子阱(MQW)结构，该MQW结构包括：多个量子阱结构，每个量子阱结构包括：势垒层；以及形成于势垒层上的阱层，所述阱层中嵌有量子点纳米结构，势垒层和阱层包括第一基于金属氮化物的材料；其中，量子阱结构中的至少一个还包括形成于阱层上的盖层，该盖层包括第二基于金属氮化物的材料，所述第二基于金属氮化物的材料具有与第一基于金属氮化物的材料不同的金属元素。
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