[发明专利]锂离子二次电池以及其制造方法有效
| 申请号： | 200780051369.3 | 申请日： | 2007-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN101663788A | 公开（公告）日： | 2010-03-03 |
| 发明（设计）人： | 岩谷昭一;増村均;坂井德幸;藤田隆幸;笹川浩;佐藤洋 | 申请（专利权）人： | 那米克斯公司 |
| 主分类号： | H01M10/40 | 分类号： | H01M10/40;H01M4/58;H01M4/62;H01M10/38 |
| 代理公司： | 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 吴小灿 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 多层全固体型的锂离子二次电池，特别是使用导电率小的活性物质的二次电池中，为了降低电池的阻抗，在活性物质层上层压配置包括导电率大的材料的集电体层。因此，制作正极层、负极层时，各自需要将活性物质层、集电体层和活性物质层这3层层压，因此，产生工序复杂，制造成本高的问题。所以，使用以所规定的混合比将活性物质和导电性物质混合的糊剂，形成正极层、负极层，而不用配置集电体层。电池性能不会变差，对实现工序的简化，制造成本的降低，改善循环特性等，电池性能的提高也具有效果。 | ||
| 搜索关键词： | 锂离子 二次 电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.锂离子二次电池，其特征为：在包含通过固体电解质层将正极层和负极层相互层压的层压体的多层全固体型的锂离子二次电池中，上述正极层和/或上述负极层的结构为：在包含导电性物质的导电性矩阵中担载活性物质；上述正极层和/或上述负极层的剖面中的上述活性物质和上述导电性物质的面积比在20∶80到65∶35的范围内。
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