[发明专利]锂离子二次电池以及其制造方法有效
申请号: | 200780051369.3 | 申请日: | 2007-02-16 |
公开(公告)号: | CN101663788A | 公开(公告)日: | 2010-03-03 |
发明(设计)人: | 岩谷昭一;増村均;坂井德幸;藤田隆幸;笹川浩;佐藤洋 | 申请(专利权)人: | 那米克斯公司 |
主分类号: | H01M10/40 | 分类号: | H01M10/40;H01M4/58;H01M4/62;H01M10/38 |
代理公司: | 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 吴小灿 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 锂离子 二次 电池 及其 制造 方法 | ||
1.锂离子二次电池,其特征为:在包含通过固体电解质层将正极层和负极 层相互层压的层压体的多层全固体型的锂离子二次电池中,上述正极层和/或 上述负极层的结构为:在包含导电性物质的导电性矩阵中担载活性物质;上述 正极层和/或上述负极层中的上述活性物质和上述导电性物质的混合比为体积 比,在20∶80到65∶35的范围内;上述层压体是层压上述正极层、上述固体 电解质层、上述负极层,一并焙烧形成的层压体;所述焙烧的温度为600℃以 上、1100℃以下;
所述导电性矩阵是指导电性物质粒子为三维地连接,互相接触的结构体。
2.权利要求1记载的锂离子二次电池,其特征为:在电池内,包含上述层 压体的电池单元具有多个,且以并联、串联、或串并联方式连接。
3.权利要求1~2的任意一项记载的锂离子二次电池,其特征为:上述活 性物质为包含过渡金属氧化物、或过渡金属复合氧化物的化合物。
4.权利要求1~2的任意一项记载的锂离子二次电池,其特征为:上述活 性物质为从锂锰复合氧化物、锂镍复合氧化物、锂钴复合氧化物、锂钒复合氧 化物、锂钛复合氧化物、二氧化锰、氧化钛、氧化铌、氧化钒、氧化钨中选择 的1种化合物、或2种以上的化合物。
5.权利要求1~2的任意一项记载的锂离子二次电池,其特征为:上述导 电性物质为从银、钯、金、铂、铝中选择的金属,或包含从银、钯、金、铂、 铜、铝中选择的2种以上的金属的合金。
6.权利要求1~2的任意一项记载的锂离子二次电池,其特征为:构成上 述正极层的上述活性物质为锂锰复合氧化物,构成上述负极层的上述活性物质 为锂钛复合氧化物,上述导电性物质为银钯合金和/或银和钯的混合物。
7.权利要求1~2的任意一项记载的锂离子二次电池,其特征为:上述正 极层和上述负极层的导电率为1×101S/cm以上。
8.锂离子二次电池的制造方法,其特征为:至少包括以下工序:将固体电 解质材料分散在粘合剂和溶剂中,形成固体电解质层用糊剂的工序;和将上述 固体电解质层用糊剂涂敷并干燥,形成固体电解质层用生片的工序;和将活性 物质和导电性物质混合,分散在粘合剂和溶剂中,形成正极层用糊剂和/或负 极层用糊剂的工序;和将上述正极层用糊剂和/或负极层用糊剂涂敷并干燥, 形成正极层用生片和/或负极层用生片的工序;和将上述固体电解质层用生片, 与上述正极层用生片和/或上述负极层用生片互相层压,形成层压体的工序; 和将上述层压体一并焙烧,形成烧结层压体的工序,混合上述活性物质和导电 性物质的混合比为体积比,在20∶80到65∶35的范围内;在形成上述烧结层 压体的工序中的焙烧温度为600℃以上、1100℃以下。
9.权利要求8记载的锂离子二次电池的制造方法,其特征为:形成上述正 极层用糊剂的上述活性物质是正极活性物质粉末,形成上述负极层用糊剂的上 述活性物质是负极活性物质粉末,上述导电性物质是导电性粉末;上述正极活 性物质粉末、上述负极活性物质粉末、以及上述导电性物质粉末的粒径都在3 μm以下;上述正极活性物质粉末和上述导电性物质粉末的粒径比、以及上述 负极活性物质粉末和上述导电性物质粉末的粒径比都在1∶50到50∶1的范围 内。
10.权利要求8和9的任意一项记载的锂离子二次电池的制造方法,其特 征为:上述活性物质为从锂锰复合氧化物、锂镍复合氧化物、锂钴复合氧化物、 锂钒复合氧化物、锂钛复合氧化物、二氧化锰、氧化钛、氧化铌、氧化钒、氧 化钨中选择的1种化合物、或2种以上的化合物。
11.权利要求8~9的任意一项记载的锂离子二次电池的制造方法,其特征 为:上述导电性物质为从银、钯、金、铂、铝中选择的金属,或包含从银、钯、 金、铂、铜、铝中选择的2种以上的金属的合金。
12.权利要求8~9的任意一项记载的锂离子二次电池的制造方法,其特征 为:构成上述正极层用糊剂的上述活性物质是LiMn2O4,构成上述负极层用糊 剂的上述活性物质是Li4/3Ti5/3O4,上述导电性物质是银钯合金以及/或银和钯的 混合物。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于那米克斯公司,未经那米克斯公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200780051369.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。