[发明专利]遮蔽膜的形成方法

摘要

一种使用成膜装置形成由ZrB₂膜构成的遮蔽膜的形成方法，该成膜装置具有等离子生成手段，由同轴型空腔谐振器，其配置有在用来导入反应气体的非金属导管的周围分隔设置的导体，以及用来激励前述同轴型空腔谐振器的微波供给电路构成；前述同轴型空腔谐振器内部的高度为激励波长的1/2的整数倍，从非金属导管的一端注入的气体在非金属导管未被前述导体覆盖的位置上被微波激活，等离子化后从另一端释放出。

主权项

1、一种遮蔽膜的形成方法，具有等离子生成手段，其由同轴型空腔谐振器和微波供给电路构成，该空腔谐振器配置有分隔设置在导入反应气体的非金属导管外周上部及下部的导体；前述同轴型空腔谐振器内部的高度为激励波长的1/2的整数倍；其使用具有由非金属导管的一端注入的气体在非金属导管未设置前述导体的区域内被微波激活、从另一端呈等离子化释放的等离子生成手段的成膜装置，将已形成通孔、沟槽的带绝缘膜的成膜对象物放置在该成膜装置的真空容器内，利用ALD法使由Zr(BH4)4构成的原料气体与由H2气体构成的反应气体经前述等离子生成手段等离子化后得到的气体发生反应，在该成膜对象物的表面包括通孔、沟槽内表面在内的绝缘膜上形成由ZrB2膜构成的遮蔽膜。