[发明专利]用于制造具有薄层覆盖件的微机械构件的方法无效
| 申请号： | 200780038991.0 | 申请日： | 2007-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN101528589A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | S·克龙米勒;A·费伊;T·富克斯;C·莱嫩巴赫;M·拉默尔 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 曾 立 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明提出了一种覆盖技术，其中，尽管借助于穿过硅-覆盖层(7)的ClF3-蚀刻使被硅锗-填充层(4，3)包围的结构(2)露出，在此也防止了对硅-覆盖件(7，11)的蚀刻侵蚀，即或者通过蚀刻过程本身的特别选择性(大约10000∶1或更高)的调节来保护硅-覆盖件(7，11)或者通过使用下述知识来保护硅覆盖件(7，11)：即富锗层(5，10)的氧化物与氧化的多孔的硅(11)相反地是不稳定的、特别容易溶解的。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 具有 薄层 覆盖 微机 构件 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于制造具有由硅制成的盖层的、微机械构件的方法，具有至少下面的步骤：-在一个衬底(1)上沉积一硅锗-填充层(4)，-在该硅锗-填充层(4)上沉积一硅-盖层(7)，-在该硅-盖层(7)中产生直径在纳米范围中的一些微孔，由此产生一个多孔的硅-盖层(9)，-通过用被引导穿过所述微孔的ClF3进行的气相蚀刻去除所述硅锗-填充层(4)，其中，这样调节ClF3-蚀刻参数和填充层(4)的Si1-xGex组分，使得相对于所述多孔的硅-盖层(9)的选择性足够大，以便不侵蚀该硅-盖层，-通过在所述多孔的硅-盖层(9)上沉积一个封闭层(13)来密封所述微孔。
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